New Product
SiA777EDJ
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS T A = 25 °C, unless otherwise noted
4
5
4
3
3
2
Package Limited
2
1
1
0
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Deratin g *
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Deratin g
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
www.vishay.com
6
Document Number: 65371
S09-2032-Rev. A, 05-Oct-09
相关PDF资料
SIA811DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
SIA814DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
SIA911EDJ-T1-GE3 MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6
SIA914DJ-T1-GE3 MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6
SIA917DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6
SIB406EDK-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6
SIB408DK-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK SC75-6L
SIB412DK-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
相关代理商/技术参数
SIA778DJ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 12 V and 20 V (D-S) MOSFETs
SIA778DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
SI-A8000/3600-1.8 制造商:DIOTEC 制造商全称:Diotec Semiconductor 功能描述:High Voltage Silicon Rectifier Diodes
SIA810DJ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA810DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA811ADJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA811DJ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SIA811DJ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube